Im Rahmen der Wärmebehandlung wurde der unlegierte C45E bei T = 850°C austenitisiert und anschließend kontrolliert auf RT abgekühlt, was zu einer überwiegend ferritisch-perlitischen Mikrostruktur mit einer Vickershärte von HV10 = 216 führte [4,5]. Im Zugversuch erreichte der Werkstoff eine maximale Festigkeit von Rm = 710 MPa und wies eine Streckg
Versuch zu Oszilloskopen internetfähig gemacht
Im Verlaufe eines Projekts zur Förderung der Qualität in der Lehre entwickelte Fr. Xianhong Gerst einen Versuch zu Oszilloskopen nach dem Industriestandard 4.0. Fr. Gerst erarbeitete diesen Laborversuch als Masteraufgabe zur intenetfähigen Messung und Simulation zeitlich veränderlicher Größen. Nach er
Versuch zu Oszilloskopen internetfähig gemacht
Im Verlaufe eines Projekts zur Förderung der Qualität in der Lehre entwickelte Fr. Xianhong Gerst einen Versuch zu Oszilloskopen nach dem Industriestandard 4.0. Fr. Gerst erarbeitete diesen Laborversuch als Masteraufgabe zur intenetfähigen Messung und Simulation zeitlich veränderlicher Größen. Nach er
Publikationen
2014
C. Banzhaf, M. Grieb, A. Trautmann, A. Bauer, L. Frey, Influence of Diverse Post-Trench Processes on the Electrical Performance of 4H-SiC MOS Structures, Materials Science Forum. 778–780 (2014) 595–598. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.595. C.T. Banzhaf, M. Grieb, A. Trautmann, A.J. Bauer, L. Frey, In
2013
C. Banzhaf, M. Grieb, A. Trautmann, A. Bauer, L. Frey, Characterization of Diverse Gate Oxides on 4H-SiC 3D Trench-MOS Structures, Materials Science Forum. 740–742 (2013) 691–694. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.691.
2011
L. Bohne, A. Trautmann, T. Pirk, W. Jaegermann, Strukturierung von Siliziumsubstraten für integrierte 3D-Dünnschichtbatterien, MikroSystemTechnik - KONGRESS (2011).
2007
S.Kamiya, J.Kuypers, A.Trautmann, P.Ruther, O.Paul, Process Temperature Dependent Mechanical Properties of Polysilicon Measured Using a Novel Tensile Test Structure, IEEE Journal of Microelectromechanical Systems 16 Issue 2, (2007), 202 – 212. B. Levey, P. Gieschke, M. Dölle, S. Spinner, A. Trautmann, P. Ruther, O. Paul, CMOS-Integrat
