Aufgrund des steigenden Einsatzes von Wide-Bandgap-Leistungstransistoren spielen deren Lebensdauer und Methoden diese zu verlängern eine sehr große Rolle. Im Forschungsprojekt sollen daher GaN-Transistoren unter realistischen Einsatzbedingungen (Mission-Profile) künstlich gealtert werden. Zur künstlichen Alterung werden die Transistoren thermischer Beanspruchung mit hohen Gradienten ausgesetzt. Durch Variation der Temperaturprofile sowie der Einsatzbedingungen können sollen Alterungsmechanismen identifiziert werden, sowie Möglichkeiten diese im Betrieb zu erkennen erforscht werden. Integraler Bestandteil des Projekts ist der Aufbau von Messtechnik zur Charakterisierung der Transistoren vor und nach der künstlichen Alterung.

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