Versuchsaufbau und Werkstoff
Die spannungskontrollierten Einstufenversuche wurden an einem servohydraulischen Prüfsystem Typ EHF-U der Fa. Shimadzu mit einer Maximallast von 50 kN, einer Frequenz von f = 5 Hz, einer sinusförmigen Last-Zeit-Funktion und einem Lastverhältnis von R = -1 bei Raumtemperatur mit RT = 25°C durchgeführt.
Die Proben wurd
Versuchsaufbau und Werkstoff
Die spannungskontrollierten Einstufenversuche wurden an einem servohydraulischen Prüfsystem Typ EHF-U der Fa. Shimadzu mit einer Maximallast von 50 kN, einer Frequenz von f = 5 Hz, einer sinusförmigen Last-Zeit-Funktion und einem Lastverhältnis von R = -1 bei Raumtemperatur mit RT = 25°C durchgeführt.
Die Proben wurd
Versuch zu Oszilloskopen internetfähig gemacht
Im Verlaufe eines Projekts zur Förderung der Qualität in der Lehre entwickelte Fr. Xianhong Gerst einen Versuch zu Oszilloskopen nach dem Industriestandard 4.0. Fr. Gerst erarbeitete diesen Laborversuch als Masteraufgabe zur intenetfähigen Messung und Simulation zeitlich veränderlicher Größen. Nach er
Versuch zu Oszilloskopen internetfähig gemacht
Im Verlaufe eines Projekts zur Förderung der Qualität in der Lehre entwickelte Fr. Xianhong Gerst einen Versuch zu Oszilloskopen nach dem Industriestandard 4.0. Fr. Gerst erarbeitete diesen Laborversuch als Masteraufgabe zur intenetfähigen Messung und Simulation zeitlich veränderlicher Größen. Nach er
Publikationen
2014
C. Banzhaf, M. Grieb, A. Trautmann, A. Bauer, L. Frey, Influence of Diverse Post-Trench Processes on the Electrical Performance of 4H-SiC MOS Structures, Materials Science Forum. 778–780 (2014) 595–598. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.595. C.T. Banzhaf, M. Grieb, A. Trautmann, A.J. Bauer, L. Frey, In
2013
C. Banzhaf, M. Grieb, A. Trautmann, A. Bauer, L. Frey, Characterization of Diverse Gate Oxides on 4H-SiC 3D Trench-MOS Structures, Materials Science Forum. 740–742 (2013) 691–694. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.691.
2011
L. Bohne, A. Trautmann, T. Pirk, W. Jaegermann, Strukturierung von Siliziumsubstraten für integrierte 3D-Dünnschichtbatterien, MikroSystemTechnik - KONGRESS (2011).
2007
S.Kamiya, J.Kuypers, A.Trautmann, P.Ruther, O.Paul, Process Temperature Dependent Mechanical Properties of Polysilicon Measured Using a Novel Tensile Test Structure, IEEE Journal of Microelectromechanical Systems 16 Issue 2, (2007), 202 – 212. B. Levey, P. Gieschke, M. Dölle, S. Spinner, A. Trautmann, P. Ruther, O. Paul, CMOS-Integrat
